電子無(wú)塵車間的溫濕度要求

    電子無(wú)塵車間的溫濕度主要根據(jù)工藝要求確定，但在滿足工藝要求的前提下，還應(yīng)考慮人體的舒適度。伴隨著對(duì)空氣潔凈度要求的提高，出現(xiàn)了工藝溫度和濕度要求越來(lái)越嚴(yán)格的趨勢(shì)。

    電子無(wú)塵車間的詳細(xì)工藝對(duì)溫度的要求在后面還會(huì)列出，但從總體上看，由于加工精度越來(lái)越高，因此對(duì)溫度波動(dòng)范圍的要求也越來(lái)越小。比如，在大規(guī)模集成電路生產(chǎn)的光刻曝光工藝中，對(duì)作為掩膜材料的硅片和玻璃的熱膨脹系數(shù)的要求差別越來(lái)越小。直徑100um的硅片，溫度升高1度，就會(huì)引起0.24um的線性膨脹，所以有±0.1um的恒溫，同時(shí)要求濕度一般都要低，因?yàn)槿顺龊购?，?huì)對(duì)產(chǎn)品造成污染，尤其是怕鈉的半導(dǎo)體車間，這車間溫度不宜超過(guò)25度，濕度過(guò)高，問(wèn)題就更嚴(yán)重了。當(dāng)相對(duì)濕度超過(guò)55%時(shí)，冷卻管壁會(huì)結(jié)露，如果精密設(shè)備或線路發(fā)生故障，會(huì)引起各種事故。相對(duì)濕度50%時(shí)容易發(fā)生銹蝕。另外，濕度過(guò)高會(huì)使硅片表面粘著的水分子通過(guò)空氣中的水分子化學(xué)吸附在表面上，很難清除。高相對(duì)濕度下，粘附的去除是困難的，但是當(dāng)相對(duì)濕度低于30%時(shí)，由于靜電力的作用，顆粒也容易吸附在表面上，同時(shí)大量的半導(dǎo)體器件容易被擊穿。硅晶片生產(chǎn)濕度范圍在35~45%之間。